ON Semiconductor ამუშავებს 1200V სილიკონის კარბიდზე დაფუძნებულ ინტელექტუალურ დენის მოდულს

ON Semiconductor-მა 18 მარტს გამოაცხადა SPM 31 ინტელექტუალური დენის მოდულის (IPM) სერიის პირველი თაობის გამოშვება, რომელიც დაფუძნებულია 1200 ვ სილიციუმის კარბიდის (SiC) MOSFET-ებზე. მოდული აერთიანებს დამოუკიდებელ მაღალი მხარის კარიბჭის დრაივერებს, დაბალი ძაბვის ინტეგრირებულ წრეს (LVIC), ექვს SiC MOSFET-ს და ტემპერატურის სენსორს, რაც მნიშვნელოვნად ამცირებს სისტემის დანაკარგებს და ზომას.