SK Hynix เปิดตัวหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง HBM4 รุ่นที่ 6 แบบ 12 เลเยอร์รุ่นแรกของโลก

SK Hynix ได้ประกาศเปิดตัวผลิตภัณฑ์ใหม่เมื่อวันที่ 19 มีนาคม ซึ่งเป็นตัวอย่าง 12 เลเยอร์ของหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) HBM4 รุ่นที่ 6 รุ่นแรกของโลก ตัวอย่าง DRAM HBM4 12 ชั้นประสิทธิภาพสูงพิเศษใหม่นี้มีจำหน่ายให้ลูกค้ารายใหญ่แล้ว SK Hynix คาดว่าจะเสร็จสิ้นการผลิตผลิตภัณฑ์ HBM4 12 ชั้นจำนวนมากภายในครึ่งหลังของปีนี้ และเริ่มจัดหาเพื่อเสริมสร้างตำแหน่งในตลาดหน่วยความจำ AI รุ่นถัดไป