STMicroelectronics und Innoscience bündeln ihre Kräfte bei der Entwicklung der GaN-Technologie

STMicroelectronics und Innoscience haben eine Vereinbarung zur Entwicklung und Herstellung von GaN-Technologie unterzeichnet, um zukunftsweisende Leistungselektronik für KI-Rechenzentren, die Erzeugung und Speicherung erneuerbarer Energien sowie die Automobilindustrie zu entwickeln. Innoscience nutzt die europäischen Fertigungskapazitäten von STMicroelectronics, während STMicroelectronics auch die Fertigungskapazitäten von Innoscience in China nutzt. Aufgrund ihrer hervorragenden Leistung erfreuen sich Galliumnitrid-Leistungsbauelemente in der Unterhaltungselektronik, in Rechenzentren, industriellen Stromversorgungen und Photovoltaik-Wechselrichtern zunehmender Beliebtheit. Aufgrund ihrer Vorteile hinsichtlich des geringen Gewichts werden sie aktiv bei der Entwicklung von Antriebssystemen für Elektrofahrzeuge der nächsten Generation eingesetzt.