STMicroelectronics an Innoscience zesummeschaffen Kräfte fir GaN Technologie z'entwéckelen

STMicroelectronics an Innoscience hunn e GaN Technologie Entwécklung a Fabrikatioun Accord ënnerschriwwen fir zukünfteg orientéiert Kraaftelektronik fir AI Datenzenteren, erneierbar Energie Generatioun a Lagerung, an Automotive ze kreéieren. Innoscience benotzt STMicroelectronics 'europäesch Fabrikatiounskapazitéit, während STMicroelectronics och Innoscience's Fabrikatiounskapazitéit a China benotzt. Wéinst senger exzellenter Leeschtung gi Galliumnitrid Kraaftapparater séier populär an Konsumentelektronik, Datenzenteren, industrielle Stroumversuergung a Photovoltaik Inverter. Wéinst senge Virdeeler am Liichtgewiicht gi se aktiv am Design vun der nächster Generatioun elektresche Gefier Kraaftsystemer benotzt.