STMicroelectronics i Innoscience udružuju snage u razvoju GaN tehnologije

2025-04-01 16:31
 371
STMicroelectronics i Innoscience potpisali su sporazum o razvoju i proizvodnji tehnologije GaN za stvaranje energetske elektronike usmjerene na budućnost za podatkovne centre umjetne inteligencije, proizvodnju i skladištenje obnovljive energije te automobilsku industriju. Innoscience koristi europske proizvodne kapacitete STMicroelectronicsa, dok STMicroelectronics također koristi proizvodne kapacitete Innosciencea u Kini. Zbog svojih izvrsnih performansi, uređaji za napajanje galij nitridom brzo postaju popularni u potrošačkoj elektronici, podatkovnim centrima, industrijskim izvorima napajanja i fotonaponskim pretvaračima. Zbog njihove prednosti u maloj težini, aktivno se koriste u dizajnu sustava za napajanje električnih vozila sljedeće generacije.