एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स और इनोसाइंस ने मिलकर GaN तकनीक विकसित की

एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स और इनोसाइंस ने एआई डेटा सेंटर, नवीकरणीय ऊर्जा उत्पादन और भंडारण, और ऑटोमोटिव के लिए भविष्योन्मुख पावर इलेक्ट्रॉनिक्स बनाने के लिए GaN प्रौद्योगिकी विकास और विनिर्माण समझौते पर हस्ताक्षर किए हैं। इनोसाइंस एस.टी.माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स की यूरोपीय विनिर्माण क्षमता का उपयोग करता है, जबकि एस.टी.माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स भी इनोसाइंस की चीन में विनिर्माण क्षमता का उपयोग करता है। अपने उत्कृष्ट प्रदर्शन के कारण, गैलियम नाइट्राइड विद्युत उपकरण उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, डेटा केंद्रों, औद्योगिक विद्युत आपूर्ति और फोटोवोल्टिक इनवर्टर में तेजी से लोकप्रिय हो रहे हैं। हल्के वजन के अपने फायदे के कारण, इन्हें अगली पीढ़ी के इलेक्ट्रिक वाहन पावर सिस्टम के डिजाइन में सक्रिय रूप से उपयोग किया जा रहा है।