STMicroelectronics và Innoscience hợp tác phát triển công nghệ GaN

STMicroelectronics và Innoscience đã ký thỏa thuận phát triển và sản xuất công nghệ GaN để tạo ra thiết bị điện tử công suất hướng đến tương lai cho các trung tâm dữ liệu AI, sản xuất và lưu trữ năng lượng tái tạo và ô tô. Innoscience sử dụng năng lực sản xuất của STMicroelectronics tại Châu Âu, trong khi STMicroelectronics cũng sử dụng năng lực sản xuất của Innoscience tại Trung Quốc. Nhờ hiệu suất tuyệt vời, các thiết bị điện sử dụng gali nitride đang nhanh chóng trở nên phổ biến trong các thiết bị điện tử tiêu dùng, trung tâm dữ liệu, nguồn điện công nghiệp và bộ biến tần quang điện. Nhờ ưu điểm nhẹ nên chúng đang được sử dụng tích cực trong thiết kế hệ thống truyền động cho xe điện thế hệ tiếp theo.