飞锃半导体自主研发SiC MOSFET获得AEC-Q101车规认证
1200V
650V
AEC-Q
H3TRB
MOSFET
OS
SiC MOS
SiC MOSFET
测试
研发
可靠性
飞锃半导体
高压
认证
器件
车规
半导体
SiC
EC
车规级
2024-01-04 17:37
52
飞锃半导体自主研发的1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ车规级SiC MOSFET器件已成功获得AEC-Q101车规级可靠性认证,且已通过960V高压H3TRB加严测试。
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