日本NIMS团队成功开发n通道金刚石MOSFET

日本国立材料科学研究所（NIMS）的研究团队成功开发出世界上首个n通道金刚石MOSFET，这是实现基于金刚石的CMOS集成电路的重要一步。这种新型MOSFET在高温和强辐射环境下表现出优异的性能，有助于推动基于金刚石的电力电子的发展。