Polar Semiconductor og Renesas Electronics indgår strategisk aftale om at fremme kommercialisering af GaN-enheder

Polar Semiconductor har indgået en strategisk aftale med Renesas Electronics om at licensere sin D-type GaN-on-Si-teknologi og vil producere 650V højspændings GaN-on-Si-enheder til Renesas og andre kunder på deres 8-tommers masseproduktionsfabrik i bilindustrien i Minnesota. De to parter vil i fællesskab fremme den kommercielle masseproduktion af GaN-enheder med fokus på nøgleområder som bilelektronik, datacentre, industriel energi, forbrugerelektronik, rumfart og forsvar.