A Innoscience produz em massa dispositivos GaN de alta tensão de 1200 V

A Innoscience (02577) anunciou em 14 de abril que seus produtos de nitreto de gálio (GaN) de 1200 V desenvolvidos de forma independente foram colocados em produção em massa com sucesso. Este produto tem características de ampla largura de banda e mostra vantagens significativas em cenários de alta tensão e alta frequência. É particularmente adequado para uso em veículos de nova energia, indústria, centros de dados de IA e outros campos. O design inovador do produto resolve o gargalo de eficiência do sistema de carregamento de bordo da plataforma do veículo elétrico de 800 V, ajudando a melhorar a eficiência do sistema de conversão de energia e a alcançar a miniaturização do equipamento.