Innoscience masseproducerer 1200V højspændings GaN-enheder

Innoscience (02577) annoncerede den 14. april, at dets uafhængigt udviklede 1200V galliumnitrid (GaN)-produkter med succes er blevet sat i masseproduktion. Dette produkt har store båndgab-karakteristika og viser betydelige fordele i højspændings- og højfrekvensscenarier. Det er særligt velegnet til brug i nye energikøretøjer, industri, AI-datacentre og andre områder. Produktets banebrydende design løser effektivitetsflaskehalsen i det indbyggede ladesystem på 800V elbilplatformen, hvilket hjælper med at forbedre effektiviteten af ​​energikonverteringssystemet og opnå miniaturisering af udstyret.