इनोसाइंस ने 1200V उच्च-वोल्टेज GaN उपकरणों का बड़े पैमाने पर उत्पादन किया

इनोसाइंस (02577) ने 14 अप्रैल को घोषणा की कि उसके स्वतंत्र रूप से विकसित 1200V गैलियम नाइट्राइड (GaN) उत्पादों का सफलतापूर्वक बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू कर दिया गया है। इस उत्पाद में विस्तृत बैंडगैप विशेषताएं हैं और यह उच्च वोल्टेज और उच्च आवृत्ति परिदृश्यों में महत्वपूर्ण लाभ दर्शाता है। यह विशेष रूप से नई ऊर्जा वाहनों, उद्योग, एआई डेटा केंद्रों और अन्य क्षेत्रों में उपयोग के लिए उपयुक्त है। उत्पाद का सफल डिजाइन 800V इलेक्ट्रिक वाहन प्लेटफॉर्म की ऑन-बोर्ड चार्जिंग प्रणाली की दक्षता की बाधा को हल करता है, जिससे ऊर्जा रूपांतरण प्रणाली की दक्षता में सुधार करने और उपकरणों के लघुकरण को प्राप्त करने में मदद मिलती है।