Innoscience memproduksi perangkat GaN tegangan tinggi 1200V secara massal

Innoscience (02577) mengumumkan pada tanggal 14 April bahwa produk galium nitrida (GaN) 1200V yang dikembangkan secara independen telah berhasil diproduksi massal. Produk ini memiliki karakteristik celah pita lebar dan menunjukkan keunggulan signifikan dalam skenario tegangan tinggi dan frekuensi tinggi. Sangat cocok untuk digunakan pada kendaraan energi baru, industri, pusat data AI, dan bidang lainnya. Desain terobosan produk ini memecahkan hambatan efisiensi sistem pengisian daya terpasang pada platform kendaraan listrik 800V, membantu meningkatkan efisiensi sistem konversi energi dan mencapai miniaturisasi peralatan.