英飞凌全新高压IGBT芯片年底量产

英飞凌即将在年底开始生产其最新的高压IGBT芯片，包括第三代EDT3和800V专用的RC-IGBT芯片。这些芯片旨在提高电动汽车的效率，从而增加续航里程。EDT3相较于前一代产品降低了20%的损耗，同时提高了高低负载效率，使续航里程提升了5%-8%。而RC-IGBT则通过集成设计优化了空间和功率密度，使其适合高端800V车型。