El nuevo chip IGBT de alto voltaje de Infineon entrará en producción en masa a finales de año.

Infineon comenzará la producción de sus últimos chips IGBT de alto voltaje, incluidos los chips EDT3 de tercera generación y los RC-IGBT específicos de 800 V, a finales de año. Los chips están diseñados para hacer que los vehículos eléctricos sean más eficientes, aumentando así su autonomía. En comparación con la generación anterior, EDT3 reduce las pérdidas en un 20%, al tiempo que mejora la eficiencia en cargas altas y bajas, aumentando la autonomía entre un 5% y un 8%. El RC-IGBT optimiza el espacio y la densidad de potencia a través de un diseño integrado, lo que lo hace adecuado para modelos de 800 V de alta gama.