Dem Infineon säin neien Héichspannungs-IGBT-Chip gëtt bis Enn vum Joer a Masseproduktioun gesat

Infineon fänkt d'Produktioun vu senge leschten High-Volt IGBT Chips un, dorënner déi drëtt Generatioun EDT3 an 800V-spezifesch RC-IGBT Chips, um Enn vum Joer. D'Chips sinn entwéckelt fir elektresch Gefierer méi effizient ze maachen an doduerch hir Gamme ze erhéijen. Am Verglach mat der viregter Generatioun reduzéiert EDT3 d'Verloschter ëm 20%, wärend d'Héich an d'niddereg Belaaschtungseffizienz verbessert, d'Fuerwerei ëm 5% -8% erhéicht. De RC-IGBT optiméiert Plaz a Kraaftdicht duerch integréiert Design, sou datt et gëeegent ass fir High-End 800V Modeller.