Новый высоковольтный IGBT-чип компании Infineon будет запущен в массовое производство к концу года

В конце года компания Infineon начнет производство новейших высоковольтных чипов IGBT, включая чипы EDT3 третьего поколения и RC-IGBT, рассчитанные на напряжение 800 В. Чипы призваны сделать электромобили более эффективными, тем самым увеличив их запас хода. По сравнению с предыдущим поколением EDT3 снижает потери на 20%, одновременно повышая эффективность при высоких и низких нагрузках, увеличивая запас хода на 5–8%. RC-IGBT оптимизирует пространство и плотность мощности за счет интегрированной конструкции, что делает его пригодным для высококлассных моделей 800 В.