Az Infineon új, nagyfeszültségű IGBT chipje az év végéig tömeggyártásba kerül

Az Infineon az év végén kezdi meg legújabb nagyfeszültségű IGBT lapkáinak gyártását, beleértve a harmadik generációs EDT3 és 800 V-os RC-IGBT lapkákat is. A chipeket úgy tervezték, hogy hatékonyabbá tegyék az elektromos járműveket, ezáltal növelve a hatótávolságot. Az előző generációhoz képest az EDT3 20%-kal csökkenti a veszteségeket, miközben javítja a nagy és alacsony terhelési hatékonyságot, és 5%-8%-kal növeli a hatótávolságot. Az RC-IGBT az integrált kialakításnak köszönhetően optimalizálja a helyet és a teljesítménysűrűséget, így alkalmas a csúcskategóriás 800 V-os modellekhez.