Cip IGBT voltan tinggi baharu Infineon akan dimasukkan ke dalam pengeluaran besar-besaran menjelang akhir tahun ini

Infineon akan memulakan pengeluaran cip IGBT voltan tinggi terbaharunya, termasuk cip EDT3 generasi ketiga dan RC-IGBT khusus 800V, pada akhir tahun ini. Cip direka untuk menjadikan kenderaan elektrik lebih cekap, dengan itu meningkatkan julatnya. Berbanding dengan generasi sebelumnya, EDT3 mengurangkan kerugian sebanyak 20%, sambil meningkatkan kecekapan beban tinggi dan rendah, meningkatkan julat pemanduan sebanyak 5%-8%. RC-IGBT mengoptimumkan ruang dan ketumpatan kuasa melalui reka bentuk bersepadu, menjadikannya sesuai untuk model 800V mewah.