Производственият капацитет на DRAM на Changxin Storage се увеличи значително

ChangXin Memory Technologies (CXMT) очаква производството на DRAM да достигне 2,73 милиона единици тази година, което е 68% увеличение спрямо миналата година. Ако тази тенденция продължи, производството на DRAM на Changxin Memory може да надмине това на Micron и се очаква да достигне половината от това на SK Hynix. Очаква се през следващите 1-2 години пазарът на DRAM да бъде реорганизиран от тристранна структура в четиристранна структура и свръхпредлагането да стане реалност.