Вытворчыя магутнасці DRAM Changxin Storage значна павялічыліся

ChangXin Memory Technologies (CXMT) чакае, што вытворчасць DRAM дасягне 2,73 мільёна адзінак у гэтым годзе, павялічыўшыся на 68% у параўнанні з мінулым годам. Калі гэтая тэндэнцыя захаваецца, вытворчасць DRAM Changxin Memory можа перасягнуць Micron і, як чакаецца, дасягне паловы вытворчасці SK Hynix. Чакаецца, што ў бліжэйшыя 1-2 гады рынак DRAM будзе рэарганізаваны з трохбаковай структуры ў чатырохбаковую структуру, і празмернасць прапановы стане рэальнасцю.