Năng lực sản xuất DRAM của Changxin Storage đã tăng đáng kể

ChangXin Memory Technologies (CXMT) dự kiến ​​sản lượng DRAM của mình sẽ đạt 2,73 triệu đơn vị trong năm nay, tăng 68% so với năm ngoái. Nếu xu hướng này tiếp tục, sản lượng DRAM của Changxin Memory có thể vượt qua Micron và dự kiến ​​sẽ đạt một nửa so với SK Hynix. Dự kiến ​​trong 1-2 năm tới, thị trường DRAM sẽ được tái cấu trúc từ cơ cấu ba bên sang cơ cấu bốn bên, tình trạng cung vượt cầu sẽ trở thành hiện thực.