ظرفیت تولید DRAM Changxin Storage به میزان قابل توجهی افزایش یافته است

ChangXin Memory Technologies (CXMT) انتظار دارد تولید DRAM خود در سال جاری به 2.73 میلیون واحد برسد که 68 درصد افزایش نسبت به سال گذشته نشان می دهد. اگر این روند ادامه یابد، تولید حافظه DRAM Changxin می تواند از Micron پیشی بگیرد و انتظار می رود به نیمی از SK Hynix برسد. پیش بینی می شود در 1-2 سال آینده، بازار DRAM از ساختار سه جانبه به ساختار چهار جانبه سازماندهی شود و عرضه بیش از حد به واقعیت تبدیل شود.