Projeto de substrato de cristal único de carboneto de silício da Hebei Tongguang Technology concluído

A Hebei Tongguang Technology Development Co., Ltd. concluiu um projeto para produzir 70.000 substratos de cristal único de carboneto de silício anualmente. O investimento total no projeto é de quase 390 milhões de yuans, e ele entrará oficialmente em operação experimental em março de 2025.