Hebei Tongguang Technology Silicon Carbide Eenkristall Substrat Projet fäerdeg

Hebei Tongguang Technology Development Co., Ltd. huet e Projet ofgeschloss fir 70.000 Siliziumkarbid Eenkristallsubstrater jäerlech ze produzéieren. D'Gesamtinvestitioun an de Projet ass bal 390 Millioune Yuan, an et gëtt offiziell am Mäerz 2025 a Prozessoperatioun gesat.