Проектът на Hebei Tongguang Technology за монокристален субстрат от силициев карбид е завършен

Hebei Tongguang Technology Development Co., Ltd. завърши проект за производство на 70 000 монокристални субстрата от силициев карбид годишно. Общата инвестиция в проекта е близо 390 милиона юана, като той ще бъде официално пуснат в пробна експлоатация през март 2025 г.