Nakumpleto na ang silicon carbide ng Hebei Tongguang Technology na single crystal substrate project

Nakumpleto ng Hebei Tongguang Technology Development Co., Ltd. ang isang proyekto upang makagawa ng 70,000 silicon carbide na solong kristal na substrate taun-taon. Ang kabuuang pamumuhunan sa proyekto ay halos 390 milyong yuan, at opisyal itong ilalagay sa trial operation sa Marso 2025.