پروژه زیرلایه تک کریستال کاربید سیلیکون فناوری Hebei Tongguang به پایان رسید
هوش ایشی
ییلی الکترونیک
ژجیانگ میلی
اپتوالکترونیک کریستال
2025
دیک
این
و
ناور
نه
نه
سال
یوان
بست
کر
لیون
رم
پرو
فن
بردار
بستر
تک کریستال
بستر
نه
سال
توسعه
او
این
پروژه
2025-04-23 07:40
269
شرکت توسعه فناوری Hebei Tongguang پروژه ای را برای تولید سالانه 70000 بستر تک کریستال کاربید سیلیکون تکمیل کرده است. کل سرمایه گذاری در این پروژه نزدیک به 390 میلیون یوان است و به طور رسمی در مارس 2025 به بهره برداری آزمایشی می رسد.
