芯塔电子自主研发1200V/80mΩ SiC MOSFET器件获车规级认证
1200V
AEC-Q
H3TRB
MOSFET
OS
SiC MOS
SiC MOSFET
研发
可靠性
高压
供应链
认证
器件
车规
新能源汽车
SiC
2023年
发展
应用
EC
汽车
车规级
新能源
2024-02-06 16:48
62
2023年,芯塔电子成功研发出1200V/80mΩ SiC MOSFET器件,并获得全套AEC-Q101车规级可靠性认证及高压960V H3TRB可靠性考核。该器件已成功应用于新能源汽车供应链,助力新能源汽车行业发展。
Prev:乾晶半导体8英寸导电型碳化硅衬底研制成功
Next:芯塔电子2023年SiC MOSFET出货量超过百万只
快报
一手资料
数据
个人中心