英飞凌发布新型CoolSiC™ MOSFET 2000 V

英飞凌科技推出新型CoolSiC™ MOSFET 2000 V，采用TO-247PLUS-4-HCC封装，满足对高功率密度的需求，并保证在高压和高频条件下系统可靠性不受影响。这款MOSFET适用于太阳能、储能系统和电动汽车充电等应用，具有低开关损耗的特点。