英特尔和软银计划合作开发一种新的堆叠式DRAM解决方案,以替代现有的高带宽存储器(HBM)。两家公司将成立一家名为“Saimemory”的新公司,预计在2027年前完成原型设计,并在2030年前实现商业化。这种新型存储器预计将具有更低的耗电量和成本,同时提供更大的存储容量。
英特尔和软银计划合作开发一种新的堆叠式DRAM解决方案,以替代现有的高带宽存储器(HBM)。两家公司将成立一家名为“Saimemory”的新公司,预计在2027年前完成原型设计,并在2030年前实现商业化。这种新型存储器预计将具有更低的耗电量和成本,同时提供更大的存储容量。