英飞凌计划推出400V低压SiC MOSFET

近期，英飞凌宣布将推出一款400V低压SiC MOSFET，旨在与传统Si和GaN功率半导体竞争，扩大市场份额。尽管业界对此表示惊讶，因为此前未有企业开发类似产品，但英飞凌仍致力于解决相关技术难题，如通道电阻、短路控制、栅氧化等。