Zhixin Semiconductor lanceert 1700V siliciumcarbide MOSFET-module

Zhixin Semiconductor heeft onlangs aangekondigd dat de eerste batch 1700V siliciumcarbide MOSFET-modules officieel van de productielijn is gerold, wat een belangrijke doorbraak betekent in de hoogspanningshalfgeleidermarkt van het bedrijf. Dit product zal nieuwe energievoertuigen, elektrische bedrijfsvoertuigen en supercharger-infrastructuur volledig ondersteunen, de industrie helpen om snel te evolueren naar hoogspanningsarchitecturen boven 1000 V, de prestatieknelpunten van traditionele siliciumgebaseerde (IGBT) technologieën te doorbreken en een hoge efficiëntie, lichtgewichtheid en een lange batterijduur voor elektrische aandrijfsystemen te realiseren.