Zhixin Semiconductor lanza un módulo MOSFET de carburo de silicio de 1700 V

Zhixin Semiconductor anunció recientemente la salida oficial de su primer lote de módulos MOSFET de carburo de silicio de 1700 V, lo que marca un gran avance en el sector de semiconductores de potencia de alto voltaje de la compañía. Este producto potenciará plenamente los vehículos de nuevas energías, los vehículos comerciales eléctricos y la infraestructura de supercarga, ayudará a la industria a evolucionar rápidamente hacia arquitecturas de alto voltaje superiores a 1000 V, superará el cuello de botella de rendimiento de los módulos tradicionales basados ​​en silicio (IGBT) y logrará alta eficiencia, ligereza y larga duración de batería para sistemas de propulsión eléctrica.