Zhixin Semiconductor lanserer 1700V silisiumkarbid MOSFET-modul

Zhixin Semiconductor annonserte nylig at deres første parti med 1700V silisiumkarbid MOSFET-moduler offisielt har rullet av produksjonslinjen, noe som markerer et stort gjennombrudd innen selskapets felt for høyspenningskrafthalvledere. Dette produktet vil fullt ut styrke nye energikjøretøyer, elektriske nyttekjøretøyer og kompressorinfrastruktur, hjelpe industrien med å raskt utvikle seg til høyspenningsarkitekturer over 1000V, bryte gjennom ytelsesflaskehalsen til tradisjonelle silisiumbaserte (IGBT), og oppnå høy effektivitet, lettvekt og lang batterilevetid for elektriske drivsystemer.