Spoločnosť Zhixin Semiconductor uvádza na trh modul MOSFET z karbidu kremíka s napätím 1700 V

Spoločnosť Zhixin Semiconductor nedávno oznámila, že jej prvá várka 1700V modulov MOSFET z karbidu kremíka oficiálne zišla z výrobnej linky, čo predstavuje významný prelom v oblasti vysokonapäťových výkonových polovodičov spoločnosti. Tento produkt plne posilní nové energetické vozidlá, elektrické úžitkové vozidlá a infraštruktúru preplňovania, pomôže odvetviu rýchlo sa vyvinúť na vysokonapäťové architektúry nad 1000V, prekonať výkonnostné obmedzenia tradičných kremíkových (IGBT) batérií a dosiahnuť vysokú účinnosť, nízku hmotnosť a dlhú životnosť batérie pre elektrické pohonné systémy.