A Zhixin Semiconductor piacra dobja az 1700 V-os szilícium-karbid MOSFET modult

A Zhixin Semiconductor nemrégiben bejelentette, hogy hivatalosan is legördült a gyártósorról az első 1700 V-os szilícium-karbid MOSFET moduljainak gyártása, ami jelentős áttörést jelent a vállalat nagyfeszültségű teljesítmény-félvezető területén. Ez a termék teljes mértékben felvértezi majd az új energiahordozókat, az elektromos haszongépjárműveket és a töltőinfrastruktúrát, segíti az iparágat a 1000 V feletti nagyfeszültségű architektúrákra való gyors áttérésben, áttöri a hagyományos szilícium-alapú (IGBT) teljesítménybeli szűk keresztmetszetét, és nagy hatékonyságú, könnyű és hosszú akkumulátor-élettartamot biztosít az elektromos hajtásrendszerek számára.