شركة Zhixin Semiconductor تطلق وحدة MOSFET من كربيد السيليكون بقوة 1700 فولت

أعلنت شركة Zhixin Semiconductor مؤخرًا عن بدء إنتاج أول دفعة من وحدات MOSFET المصنوعة من كربيد السيليكون بجهد 1700 فولت، مما يمثل إنجازًا كبيرًا في مجال أشباه موصلات الطاقة عالية الجهد. سيُمكّن هذا المنتج مركبات الطاقة الجديدة، والمركبات التجارية الكهربائية، والبنية التحتية للشحن الفائق بشكل كامل، ويساعد الصناعة على التطور السريع نحو هياكل الجهد العالي التي تزيد عن 1000 فولت، وتجاوز عوائق الأداء التي تواجهها هياكل السيليكون التقليدية (IGBT)، وتحقيق كفاءة عالية وخفة وزن وعمر بطارية طويل لأنظمة القيادة الكهربائية.