英飞凌推出首款2000V CoolSiC™ MOSFET分立器件

英飞凌近日发布了市场上首个具备2000V击穿电压的CoolSiC™ MOSFET分立器件。该器件具有较低的开关损耗，并采用了TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。这些特性使其非常适合应用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等领域。