三星电子计划在今年12月开始量产第六代10nm级DRAM

三星电子计划在今年12月接受客户认证并开始量产第六代10nm级DRAM。这一产品将采用尖端的极紫外（EUV）光刻工艺，与之前的第五代10nm级产品相比，该工艺可实现更高的Net Die（每片晶圆可生产的芯片数量）并提高功率效率。