英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术

英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，该技术将MOSFET的主要性能指标提高了20%，从而提高了能效和推动低碳化进程。CoolSiC MOSFET新一代G2技术将继续发挥碳化硅的性能优势，降低能量损耗，提高功率转换过程中的效率。