江西罡丰科技年产40万片SiC衬底项目环评公示

江西罡丰科技近期公布了其年产40万片第三代半导体衬底外延建设项目（一期）的环评信息。该项目占地83060.76平方米，总投资45亿元，旨在建设SiC半导体衬底生产线及相关厂房设施。项目完成后，预计将具备年产40万片第三代半导体衬底外延的生产能力。江西罡丰表示，此举旨在满足市场对高性能半导体衬底材料的需求，并推动公司在半导体领域的技术创新和产业升级。