九峰山实验室将持续优化6英寸InP外延平台,推动下游产品验证,提升产业链自主可控能力,推动我国光电子产业升级。材料性能:FP激光器量子阱PL发光波长片内标准差<1.5nm,组分与厚度均匀性<1.5%;PIN探测器材料本底浓度<4×10¹⁴cm⁻³,迁移率>11000 cm²/V·s。
九峰山实验室将持续优化6英寸InP外延平台,推动下游产品验证,提升产业链自主可控能力,推动我国光电子产业升级。材料性能:FP激光器量子阱PL发光波长片内标准差<1.5nm,组分与厚度均匀性<1.5%;PIN探测器材料本底浓度<4×10¹⁴cm⁻³,迁移率>11000 cm²/V·s。