Toshiba Electronics dan Tianyue Advanced telah mencapai kesepakatan kerja sama pada semikonduktor daya SiC

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation dan Shandong Tianyue Advanced Technology Co., Ltd. telah mencapai kesepakatan dasar mengenai substrat semikonduktor daya SiC. Kedua pihak akan terlibat dalam kolaborasi teknis dan komersial. Semikonduktor daya merupakan komponen kunci untuk mencapai efisiensi energi dan netralitas karbon pada peralatan listrik, dan permintaan pasar terus meningkat.