芯能半导体近日发布了基于碳化硅材料的新一代电力电子核心功率转换解决方案。该方案集成了SiC MOSFET和优化的驱动与过流保护电路,功率在300W以下无需散热器。相比传统硅基IGBT IPM,碳化硅IPM系统效率提升2%-5%,开关频率可达100kHz。此外,该方案还具备过流保护、过温保护等功能。
芯能半导体近日发布了基于碳化硅材料的新一代电力电子核心功率转换解决方案。该方案集成了SiC MOSFET和优化的驱动与过流保护电路,功率在300W以下无需散热器。相比传统硅基IGBT IPM,碳化硅IPM系统效率提升2%-5%,开关频率可达100kHz。此外,该方案还具备过流保护、过温保护等功能。