2025年,SiC器件价格大幅下降,以1200V 40mΩ的SiC MOSFET为例,价格相较2024年初几乎减半。SiC器件厂商面临巨大竞争压力,急需新技术来缓解。天科合达最新公布的SiC衬底技术创新有望帮助下游客户实现这一目标。