镓仁半导体宣布在6英寸氧化镓外延技术上取得重大突破

2025年9月，杭州镓仁半导体有限公司宣布在6英寸氧化镓同质外延生长技术上取得重大突破。该技术的成功应用标志着公司在半导体外延领域迈出了重要一步。外延片检测结果显示，外延层厚度超过10微米，均匀性优异，且外延质量达到高水平。这一技术突破不仅提升了外延层的质量，还降低了生产成本，为下游企业提供了更经济高效的解决方案。