Samsung Electronics stelt doelbandbreedte van meer dan 3 TB/s voor massaproductie van HBM4E in 2027

Samsung Electronics is van plan de bandbreedte van zijn zevende generatie high-bandwidth geheugen (HBM4E) te verhogen tot meer dan 3 TB/s, met massaproductie naar verwachting in 2027. Deze beoogde bandbreedte is 2,5 keer zo groot als die van de huidige vijfde generatie (HBM3E). Samsung Electronics heeft tevens aangegeven dat de HBM4E meer dan twee keer zo energiezuinig zal zijn als de HBM3E.