يتم إنتاج وحدات المحرك الرئيسية SiC MOS من شركة China Resources Microelectronics بكميات كبيرة في المركبات

تم بنجاح طرح وحدة القيادة الرئيسية من الجيل الرابع المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC MOS) من شركة China Resources Microelectronics لشركة رائدة في صناعة السيارات، وحققت إنتاجًا ضخمًا. تعتمد هذه الوحدة على شريحة منصة G4 المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC MOS) بجهد 1200 فولت، وتستخدم حزمة ValueDual، وتصميمًا متوازيًا بترانزستور 6/8، ومقاومة تشغيل لا تقل عن 1.6 متر أوم. تنتمي هذه الوحدة إلى فئة وحدات EconoDULA، وقد أثبتت أداءً ممتازًا في أنظمة القيادة الرئيسية للمركبات التجارية.